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電(dian)子發燒友網(wang)報道（文/黃晶晶）碳化硅SiC是寬禁(jin)帶(dai)(dai)半(ban)導體(ti)材料(liao)的典型代表，具有(you)高(gao)(gao)禁(jin)帶(dai)(dai)寬度、高(gao)(gao)擊(ji)穿場強和高(gao)(gao)熱導率等優良特(te)性，成為制作(zuo)高(gao)(gao)溫、高(gao)(gao)頻和大功率電(dian)力電(dian)子器件的理想半(ban)導體(ti)材料(liao)。

國外碳化硅(gui)半導體產業(ye)鏈(lian)發展起(qi)步早，從襯底到外延片再到芯片的(de)工藝產品相對成熟，不過近年來國產碳化硅(gui)產業(ye)鏈(lian)也取得不小的(de)進步。

據了解，今年以來，華潤微電子已經切入到碳化硅領(ling)域，無論從產品線(xian)還(huan)是技術研發等布(bu)局(ju)來看(kan)，這家國內功率(lv)IDM龍頭(tou)的入局(ju)將(jiang)推(tui)動國產碳化硅進入新的階段。

碳(tan)化硅市場(chang)格局

碳化硅產(chan)業鏈分(fen)為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節，目前(qian)全球(qiu)碳化硅市(shi)場(chang)基本被(bei)國外壟斷，根(gen)據(ju)Yole數據(ju)顯示，Cree、英飛凌、羅姆約(yue)占據(ju)了90％的(de)(de)SiC市(shi)場(chang)份(fen)額，Cree是SiC襯底主(zhu)要供應商(shang)，羅姆、意法半導體等擁有(you)自己的(de)(de)SiC生產(chan)線等。

襯底(di)方面，國際主(zhu)流(liu)產品從4英(ying)寸(cun)(cun)(cun)向6英(ying)寸(cun)(cun)(cun)過(guo)渡(du)，Cree已經開發出8英(ying)寸(cun)(cun)(cun)襯底(di)。國內(nei)襯底(di)主(zhu)要供應(ying)商(shang)有天(tian)科合達、山東(dong)天(tian)岳、同光晶體等能夠供應(ying)3 英(ying)寸(cun)(cun)(cun)-6 英(ying)寸(cun)(cun)(cun)的(de)單(dan)晶襯底(di)。國內(nei)SiC襯底(di)以4英(ying)寸(cun)(cun)(cun)為主(zhu)，6英(ying)寸(cun)(cun)(cun)襯底(di)還有待突破。

2019年8月，華(hua)為通過旗(qi)下的(de)哈(ha)勃(bo)科技投(tou)資(zi)有限公司(si)投(tou)資(zi)了山(shan)東天岳公司(si)，占股10%，顯示(shi)華(hua)為正在布局(ju)新一代半導體材料(liao)技術(shu)。

外(wai)延片方面，國(guo)內(nei)廈門瀚天天成、東莞天域、世紀金光已能提供4英(ying)寸(cun)/6英(ying)寸(cun)SiC外(wai)延片。目(mu)前，6英(ying)寸(cun)碳(tan)化硅外(wai)延片可以實(shi)現(xian)本土供應。

SiC器(qi)件方面，國際上(shang)600~1700V SiC SBD、MOSFET 已(yi)經實現產業化，主(zhu)流產品(pin)耐壓水平在(zai)1200V 以(yi)(yi)下，封裝形式以(yi)(yi)TO 封裝為主(zhu)。價(jia)格方面，國際上(shang)的(de)SiC 產品(pin)價(jia)格是(shi)對應Si 產品(pin)的(de)5~6 倍，正以(yi)(yi)每年(nian)10%的(de)速度下降。據預測，隨著上(shang)游材(cai)料器(qi)件紛紛擴產上(shang)線，未來(lai)2~3年(nian)后市場供應加大，價(jia)格將(jiang)進一(yi)步下降，預計價(jia)格達到對應Si 產品(pin)2~3 倍時，由系統成本減少和性(xing)能(neng)提升帶來(lai)的(de)優勢將(jiang)推動SiC 逐(zhu)步占領Si 器(qi)件的(de)市場空(kong)間(jian)。

國(guo)內碳化(hua)硅器(qi)件(jian)供應商主要有中(zhong)車時代(dai)電(dian)氣、中(zhong)電(dian)55所(suo)、中(zhong)電(dian)13所(suo)、基本半導體(ti)、泰科(ke)天(tian)潤(run)、瑞能半導體(ti)等(deng)，以及國(guo)內功率IDM龍(long)頭華潤(run)微電(dian)子(zi)也進入到這一領域(yu)。